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剩余不多的多晶硅时,要提高温度和提拉速度,进行收尾拉光,否则容易引起坩埚的破裂。

A. 对
B. 错

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一般8in以上的硅片采用内圆切割,8in以下的硅片采用线锯切割。

A. 对
B. 错

晶圆在发货之前要进行氧化,以保护晶圆表面、防止在输运过程中的划伤和污染。

A. 对
B. 错

碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。

A. 对
B. 错

切割单晶硅棒之前,需要在硅棒上做一个基准面(参考面),一般包括主参考面和第二参考面。

A. 对
B. 错