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第2单元作业
单选题
下列选项中,能够测试少数载流子寿命的方法是:
A. 热探针法
B. 四探针法
C. 光电导衰减法
D. 化学腐蚀法
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单选题
利用一定的刃部轮廓的砂轮磨掉硅片边缘的棱角,使之变得光滑的工艺为:
A. 倒角
B. 磨片
C. 化学腐蚀
D. CMP
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判断题
晶胞按照一定的规则进行周期性排列的结构称为单晶。
A. 对
B. 错
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判断题
一般晶圆的直径越大,Wafer的厚度越厚
A. 对
B. 错
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判断题
工艺试验片,又称监控晶圆,与主晶圆一起进入工艺步骤,但主要用于监测工艺。
A. 对
B. 错
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判断题
剩余不多的多晶硅时,要提高温度和提拉速度,进行收尾拉光,否则容易引起坩埚的破裂。
A. 对
B. 错
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判断题
一般8in以上的硅片采用内圆切割,8in以下的硅片采用线锯切割。
A. 对
B. 错
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判断题
晶圆在发货之前要进行氧化,以保护晶圆表面、防止在输运过程中的划伤和污染。
A. 对
B. 错
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判断题
碳化硅和氮化镓作为衬底材料常用于功率器件。
A. 对
B. 错
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判断题
切割单晶硅棒之前,需要在硅棒上做一个基准面(参考面),一般包括主参考面和第二参考面。
A. 对
B. 错
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