采用、氧化工艺制备的二氧化硅膜具有更高密度、更高折射率和更低的HF腐蚀速率。
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二氧化硅膜中的斑点,裂纹,白雾,刮花和针孔等属于表面缺陷。二氧化硅膜还具有结构上的缺陷,即缺陷。
可以采用在电容器上不断增加电压,测量通过氧化层的电流,获得击穿电压的统计分布,来反映。
指给氧化层加刚好低于击穿电场的电应力,测量电流随时间的变化关系。当发生不可恢复的介质击穿时,电流曲线末端附近电流急剧上升。
一般的氧化工艺是在常压下进行,把氧化剂的压力在几个到几百个大气压之间的热氧化称高压热氧化。高压热氧化比较适合于生长。