某PN结型半导体探测器及电子学系统的零电容噪声为0.5keV,噪声斜率为0.1keV/pF,而PN结探测器的结电容为10pF,则噪声引起的线宽为:
A. 2.0 keV
B. 1.5 keV
C. 1.0 keV
D. 0.5 keV
某PN结型半导体探测器的法诺因子为0.16,平均电离能为3.6 eV,则测量3.6 MeV的γ射线时统计涨落引起的线宽为:
A. 1.4 keV
B. 2.4 keV
C. 3.4 keV
D. 4.4 keV
关于锂的漂移特性及P-I-N结形成,下列说法错误的是
A. Li为施主杂质
B. 锂离子是用于漂移成探测器的唯一可用离子
C. 基体用N型半导体
D. 当温度T增大时,Li+漂移速度增大
关于锂漂移探测器的工作原理,下列说法正确的是
A. I区存在空间电荷
B. I区为耗尽层,但是电阻率低于10^6Ωcm
C. I区为主要的探测器敏感区域
D. 因为空间电荷的存在,平面型结构I区内不是均匀电场