某PN结型半导体探测器的法诺因子为0.16，平均电离能为3.6 eV，则测量3.6 MeV的γ射线时统计涨落引起的线宽为：
A. 1.4 keV
B. 2.4 keV
C. 3.4 keV
D. 4.4 keV
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关于锂的漂移特性及P-I-N结形成，下列说法错误的是
A. Li为施主杂质
B. 锂离子是用于漂移成探测器的唯一可用离子
C. 基体用N型半导体
D. 当温度T增大时，Li+漂移速度增大
关于锂漂移探测器的工作原理，下列说法正确的是
A. I区存在空间电荷
B. I区为耗尽层，但是电阻率低于10^6Ωcm
C. I区为主要的探测器敏感区域
D. 因为空间电荷的存在，平面型结构I区内不是均匀电场
下列对锂漂移探测器的工作条件和原理描述不正确的是
A. 锂漂移探测器不可以用来测量入射粒子的能量
B. Ge(Li)探测器须保存在低温下
C. Si(Li)探测器可在常温下保存
D. 锂漂移探测器能量分辨率高于NaI探测器
对于高纯锗探测器的描述，下列说法错误的是
A. 高纯锗探测器是由Ge单晶制成
B. 杂质浓度约为10^5个原子/cm3
C. 因为纯度高，所以可以有很大的结区，即敏感体积
D. 耗尽层内的电场强度不是一致的
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