对于高纯锗探测器的描述，下列说法错误的是
A. 高纯锗探测器是由Ge单晶制成
B. 杂质浓度约为10^5个原子/cm3
C. 因为纯度高，所以可以有很大的结区，即敏感体积
D. 耗尽层内的电场强度不是一致的
关于高纯锗探测器的特点表述正确的是
A. 它需要在低温下工作
B. 它需要在低温下保存
C. 工作时一般不能达到全耗尽状态
D. 不属于PN结型探测器
关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的结构，下列说法正确的是
A. 平面型体积较大
B. 同轴型体积较小
C. 两者都不需要考虑空间电荷问题
D. 对不同的结构形式，灵敏体积内的电场分布不同
关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的输出信号，下列说法正确的是
A. 平面型探测器，吸收位置不同但是输出信号基本相同
B. 信号脉冲上升时间与入射带电粒子产生电子-空穴对的位置有关
C. 同轴型探测器，吸收位置不同但是输出信号基本相同
D. 输出电压脉冲信号是前沿不变的
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