题目内容

磁场垂直于霍尔薄片，磁感应强度为B，但磁场方向与图8-1相反(θ=180°)时，霍尔电动势（），因此霍尔元件可用于测量交变磁场。

A. 绝对值相同，符号相反
B. 绝对值相同，符号相同
C. 绝对值相反，符号相同
D. 绝对值相反，符号相反

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霍尔元件采用恒流源激励是为了（）。

A. 提高灵敏度
B. 克服温漂
C. 减小不等位电动势
D. 增大不等位电动势

减小霍尔元件的输出不等位电动势的办法是（）。

A. 减小激励电流
B. 减小磁感应强度
C. 使用电桥调零电位器
D. 增大激励电流

多将开关型霍尔IC制作成具有施密特特性是为了（），其回差(迟滞)越大，它的（）能力就越强。（注：*表示填写的内容相同）

A. 增加灵敏度
B. 减小温漂
C. 抗机械振动干扰
D. 增大温漂

制造霍尔元件的半导体材料中，目前应用较多的是锗、锑化铟、砷化铟，其原因是这些（）。

A. 半导体材料的霍尔常数比金属大
B. 半导体中电子的迁移率比空穴高
C. 半导体材料的电子迁移率比较大
D. N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件