离子注入纵向效应

离子注入沟道效应

离子注入损伤包括因联级碰撞而出现的简单晶格损伤和的形成

离子注入后退火再分布的目的是和使杂质达到预期分布并有电活性。

当许多损伤区连在一起时就会形成连续的非晶层，开始形成连续非晶层的注入剂量称为 。

经过适当温度的退火处理，可以使注入杂质原子的全部或大部分从间隙位置进入替位位置而释放出载流子，从而改变半导体的电特性。这个过程称为杂质原子的。

注入离子浓度分布的主要特点有。

A. 最大浓度位置在样品内表面。
B. 平均投形射程的两侧，注入离子的浓度对称地下降，且下降速度越来越快。
C. 杂质的横向扩展比扩散工艺要小得多。

离子注入时，避免沟道效应的措施有。

A. 使离子的入射方向偏离沟道方向 7 一 10 度
B. 在掺杂注入前先用高剂量的 Si 、 Ge、 F 或 Ar 离子注入来使硅表面预非晶化
C. 在掺杂注入前硅表面生长一层薄 Si02 层
D. 降低靶的温度。

离子注入系统组成包括离子源、质量分析器、加速器、中性束偏移器、聚焦系统、偏转扫描系统、工作室，下面对各组成描述正确的是

A. 离子源用于离化杂质的容器，常用的杂质源气体有BF3、AsH3、PH3等。离子源有两种离子体型离子源和液态金属离子源，其中等离子体型离子源常用于聚焦方式。
B. 液态金属离子源所用液态金属应具有低熔点低蒸汽压、能与钨针充分均匀地浸润，且与容器及钨针不发生任何反应。
C. 质量分析器指根据离子的质量和电荷在质量分析器磁场中的偏转角度不同，分离出所需的杂质离子束。
D. 加速器指使用高压静电场对离子束加速，是决定离子注入深度的重要参量。

离子束可根据能量不同，可用于掺杂、曝光、刻蚀、镀膜、退火、净化、改性、打孔、切割等。其中离子注入所需能量为。

A. E<10 KeV
B. E=10～5O KeV
C. E>5O KeV