MOS管发生击穿时，其击穿类型是（）。
A. 齐纳击穿
B. 雪崩击穿
C. 稳压击穿
D. 截止击穿
MOS管的工作区分为（）。
A. 非饱和区（可变电阻区）
B. 饱和区（恒流区）
C. 夹断区（截止区）
D. 击穿区
下列说法中正确的是（）
A. 三极管的截止区和场效应管的夹断区是可类比的。
B. 三极管的饱和区和场效应管的饱和区是可类比的。
C. 三极管的放大区和场效应管的饱和区是可类比的。
D. 三极管的饱和区和场效应管的非饱和区是可类比的。
对静电敏感、容易被静电击穿的器件是（）。
A. NEMOS
B. PDMOS
C. NJFET
D. PJFET
E. NDMOS
F. PEMOS
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