p型MOS器件中，半导体表面的空间电荷包括（）和（）。

MOS电容C是（）电容和 （）电容串联的结果。大部分电压都落在（）电容上。其中，理想MOS器件的（）电容是常数。

对于MOSFET，热平衡时，除功函数差之外，还受电荷和陷阱的影响，这些陷阱和电荷包括（）、（）、（）和（）。

MOSFET夹断后，随着漏极电压的增加，导电沟道两端的电压保持不变，但沟道长度L缩短，漏极电压增加，呈现不饱和特性，这种现象称为（）。

为了提高MOSFET的工作频率或工作速度，一是选择电子迁移率（）的半导体，二是（）沟道长度。

对于n沟增强型MOSFET，VG=0时，沟道电导（），必须加（）偏压才能工作。对于n沟耗尽型MOSFET，VG=0时，沟道电导（），必须加（）偏压才能工作。

N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。

A. 负离子
B. 电子
C. 电子和空穴
D. 正离子

N沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________。

A. 负值
B. 正值
C. 零
D. 不确定

设增强型MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

A. 对
B. 错

场效应管靠电子和空穴两种载流子导电。

A. 对
B. 错