超星 - 第3单元作业2 - 查题吧

单选题

金属薄膜淀积之后,用于淀积介质的CVD方法是:

APCVD
B. LPCVD
C. PECVD
D. ALD原子层淀积

单选题

电子束蒸发比电阻丝加热蒸发设备,多了下面哪一个部件?

A. 电阻丝
B. 电子束
C. 偏转电子枪
D. 石墨

单选题

在Wafer外延一层单晶硅,常用的外延技术是:

A. 气相外延VPE
B. 分子束外延MBE
C. 金属有机物CVD(MOCVD)
D. ALD原子层淀积

单选题

气相外延生长硅需要进行抛光,常用的抛光物质是:

A. HCl
B. Cl2
CCl4
D. SiCl4

单选题

MOCVD的含义:

A. 气相外延
B. 分子束外延
C. 金属有机物化学气相外延
D. 反外延

多选题

LPCVD和PECVD的不同包括:

A. LPCVD主要采用加热的方式提供化学反应的能量
B. PECVD主要采用等离子体提供能量
C. LPCVD温度比较高,只能用于金属前介质的淀积
D. PECVD温度比较低,适合金属间介质的淀积

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