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对于MOSFET器件，根据所加电压VG的极性和大小，在半导体表面可能会出现三种载流子分布情况，分别为（）、（）和（）。

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请用公式表示：反型条件（），强反型条件（）。

p型MOS器件中，半导体表面的空间电荷包括（）和（）。

MOS电容C是（）电容和（）电容串联的结果。大部分电压都落在（）电容上。其中，理想MOS器件的（）电容是常数。

对于MOSFET，热平衡时，除功函数差之外，还受电荷和陷阱的影响，这些陷阱和电荷包括（）、（）、（）和（）。