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通过测量SiO2膜的折射率和观察SiO2膜腐蚀速率可以检验SiO2膜的

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采用、氧化工艺制备的二氧化硅膜具有更高密度、更高折射率和更低的HF腐蚀速率。

二氧化硅膜中的斑点，裂纹，白雾，刮花和针孔等属于表面缺陷。二氧化硅膜还具有结构上的缺陷，即缺陷。

可以采用在电容器上不断增加电压，测量通过氧化层的电流，获得击穿电压的统计分布，来反映。

指给氧化层加刚好低于击穿电场的电应力，测量电流随时间的变化关系。当发生不可恢复的介质击穿时，电流曲线末端附近电流急剧上升。