题目内容

退火的作用是:

A. 激活杂质
B. 修复晶格损伤
C. 抑制沟道效应
D. 抑制鸟嘴效应

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抑制沟道效应的方法有:

A. 在表面注入一层非晶材料
B. 表面添加一薄层氧化物
C. 破坏表面硅原子的排列(预先浅注入)
D. 将晶圆倾斜一定的角度

以下各项中,能够影响杂质扩散的因素有:

A. 内建电场
B. 基区陷落效应
C. 氧化增强扩散效应
D. 高浓度磷扩散

杂质注入之后就会占据晶格位置,产生活性,参与导电。

A. 对
B. 错

离子注入时可以采用的掩膜有很多,例如二氧化硅、氮化硅、金属、光刻胶等,用的较多的是光刻胶。

A. 对
B. 错