变容二极管工作时应在其两端施加反向电压，反向电压越大其结电容越小。
A. 对
B. 错
下面关于PN结表述正确的是（）
A. 在不加外部电压时，PN结的空间电荷区中始终存在扩散和漂移，并且两者最终会达到动态平衡。
B. 在施加足够大的外部正向电压时，PN结的空间电荷区中只存在扩散不存在漂移。
C. 在施加足够大的外部正向电压时，PN结的空间电荷区变薄乃至消失。
D. 在施加外部反向电压时，PN结的空间电荷区变厚，此时只有少数载流子参与漂移运动。
下面关于P型半导体和N型半导体的表述正确的是（）
A. P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
B. N型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。
C. P型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
D. N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
关于PN结的雪崩击穿和齐纳击穿下面表述正确的是（）
A. 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是齐纳击穿，电压足够大时发生雪崩击穿
B. 在给PN结施加的反向电压由0逐步增大时，首先发生的是雪崩击穿，电压足够大时发生齐纳击穿
C. 发生雪崩击穿时，不发生齐纳击穿
D. 发生雪崩击穿时，齐纳击穿仍然发生
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