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掺杂下列哪种元素的杂质半导体是属于间隙型的?

A. Li
B
C. P
D. Al

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下列哪两种性质是组成半导体探测器的关键?

A. 高的电阻率,和短的载流子寿命
B. 高的电阻率,和长的载流子寿命
C. 低的电阻率,和长的载流子寿命
D. 低的电阻率,和短的载流子寿命

关于半导体作为探测器介质的物理性能,下列说法错误的是?

A. 平均电离能比闪烁体探测器低
B. 载流子数目服从泊松分布
C. 电子迁移率与空穴迁移率相近
D. 掺杂会大大降低半导体的电阻率

关于PN结,下列说法错误的是?

A. 耗尽层内的电阻率远高于本征电阻率
B. 无外加电场时,PN结内总电流为0
C. 正向电压会使结区变宽
D. 耗尽层内无载流子存在

关于PN结半导体探测器,下列说法正确的是?

A. 结区的电场为均匀电场
B. 耗尽区的宽度与掺杂浓度无关
C. 结区电容与外加电压无关
D. 外加电压增大,耗尽层的宽度增加

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