题目内容

关于PN结半导体探测器，下列说法正确的是？

A. 结区的电场为均匀电场
B. 耗尽区的宽度与掺杂浓度无关
C. 结区电容与外加电压无关
D. 外加电压增大，耗尽层的宽度增加

查看答案

搜索结果不匹配？点我反馈

更多问题

PN结半导体探测器通常采用哪种前置放大器？

A. 电流型前置放大器
B. 电压型前置放大器
C. 电荷灵敏前置放大器
D. 不需要使用前置放大器

某PN结型半导体探测器及电子学系统的零电容噪声为0.5keV，噪声斜率为0.1keV/pF，而PN结探测器的结电容为10pF，则噪声引起的线宽为：

A. 2.0 keV
B. 1.5 keV
C. 1.0 keV
D. 0.5 keV

某PN结型半导体探测器的法诺因子为0.16，平均电离能为3.6 eV，则测量3.6 MeV的γ射线时统计涨落引起的线宽为：

A. 1.4 keV
B. 2.4 keV
C. 3.4 keV
D. 4.4 keV

关于锂的漂移特性及P-I-N结形成，下列说法错误的是

A. Li为施主杂质
B. 锂离子是用于漂移成探测器的唯一可用离子
C. 基体用N型半导体
D. 当温度T增大时，Li+漂移速度增大