关于半导体作为探测器介质的物理性能，下列说法错误的是？
A. 平均电离能比闪烁体探测器低
B. 载流子数目服从泊松分布
C. 电子迁移率与空穴迁移率相近
D. 掺杂会大大降低半导体的电阻率
查看答案
关于PN结，下列说法错误的是？
A. 耗尽层内的电阻率远高于本征电阻率
B. 无外加电场时，PN结内总电流为0
C. 正向电压会使结区变宽
D. 耗尽层内无载流子存在
关于PN结半导体探测器，下列说法正确的是？
A. 结区的电场为均匀电场
B. 耗尽区的宽度与掺杂浓度无关
C. 结区电容与外加电压无关
D. 外加电压增大，耗尽层的宽度增加
PN结半导体探测器通常采用哪种前置放大器？
A. 电流型前置放大器
B. 电压型前置放大器
C. 电荷灵敏前置放大器
D. 不需要使用前置放大器
某PN结型半导体探测器及电子学系统的零电容噪声为0.5keV，噪声斜率为0.1keV/pF，而PN结探测器的结电容为10pF，则噪声引起的线宽为：
A. 2.0 keV
B. 1.5 keV
C. 1.0 keV
D. 0.5 keV
微信支付 
支付宝支付