急、慢性再生障碍性贫血的区别在于
A. 起病方式
B. 进展快慢
C. 病程长短
D. 预后状况
E. 疾病原因
金属薄膜淀积之后,用于淀积介质的CVD方法是:
APCVD
B. LPCVD
C. PECVD
D. ALD原子层淀积
电子束蒸发比电阻丝加热蒸发设备,多了下面哪一个部件?
A. 电阻丝
B. 电子束
C. 偏转电子枪
D. 石墨
在Wafer外延一层单晶硅,常用的外延技术是:
A. 气相外延VPE
B. 分子束外延MBE
C. 金属有机物CVD(MOCVD)
D. ALD原子层淀积