题目内容

4.7湿法刻蚀的刻蚀槽中加入的化学试剂有

A. 氢氟酸
B. 硝酸
C. 硫酸
D. NaOH

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4.12 干法刻蚀所用的原料有哪些？

A. O2
B. N2
CF4
D. F2

4.10 湿法刻蚀后需要测试的项目有：

A. 亲水性
B. 边缘绝缘性能
C. 硅片厚度
D. 刻蚀减薄量

6.7 减反射的效果取决于减反射膜的

A. 折射率
B. 厚度
C. 反射率
D. 入射率

6.15 PECVD的目的有哪些？

A. 沉积减反膜
B. 增加硅片对光电吸收效率
C. 增加太阳电池的光电流
D. 钝化多晶硅的晶界