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MOSFET的核心结构是（）结构，沟道电导受到（）的控制，这正是其工作的基础。由于沟道电导受控于栅极电压，所以漏极电流不仅受到（）的控制，也受（）的控制，这是MOSFET的工作原理。

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MOSFET是（）极器件，是（）控制器件。

对于MOSFET器件，根据所加电压VG的极性和大小，在半导体表面可能会出现三种载流子分布情况，分别为（）、（）和（）。

请用公式表示：反型条件（），强反型条件（）。

p型MOS器件中，半导体表面的空间电荷包括（）和（）。