题目内容

位错可以通过溶液腐蚀产生一定的图形,一般出现三角形的是哪种晶向结构的位错?

A. <111>
B. <100>
C. <110>
D. <010>

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电子级纯的硅纯度需要达到

A. 5个9
B. 7个9
C. 9个9
D. 3个9

通常用于制备大的单晶硅锭的方法是:

A. FZ法
B. LEC法
CZ法

直拉法制备单晶时,拉晶的过程依次为?

A. 下种、缩颈、放肩、转肩、等径生长、收尾拉光
B. 下种、放肩、转肩、缩颈、等径生长、收尾拉光
C. 下种、缩颈、等径生长、收尾拉光
D. 下种、缩颈、放肩、收尾拉光

<100>晶向的晶圆破碎成什么形状?

A. 四方形或者直角
B. 三角形
C. 菱形
D. 球形

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