题目内容

通常用于制备大的单晶硅锭的方法是:

A. FZ法
B. LEC法
CZ法

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直拉法制备单晶时,拉晶的过程依次为?

A. 下种、缩颈、放肩、转肩、等径生长、收尾拉光
B. 下种、放肩、转肩、缩颈、等径生长、收尾拉光
C. 下种、缩颈、等径生长、收尾拉光
D. 下种、缩颈、放肩、收尾拉光

<100>晶向的晶圆破碎成什么形状?

A. 四方形或者直角
B. 三角形
C. 菱形
D. 球形

单晶硅形成时,必须要有一个排列标准,这个标准称为:

A. 杂质
B. 多晶硅
C. 籽晶
D. 单晶硅

下列选项中,确定单晶硅棒的导电类型的方法是:

A. 热探针法
B. 四探针法
C. 光电导衰减法
D. 化学腐蚀法