N沟道增强型MOSFET,工作在恒流区时,栅漏之间的电压差VGD( )。
A. 大于VT
B. 小于VT
C. 等于0
D. 不确定
对于耗尽型MOSFET,工作在恒流区时,VGS( )
A. 大于0
B. 小于0
C. 等于0
D. 任意
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是( )。
A. P沟道结型FET
B. 耗尽型PMOS
C. 耗尽型NMOS
D. N沟道结型FET
P沟道结型场效应管工作在恒流区时,其VGS( )。
A. 大于0
B. 小于0
C. 任意