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正胶和负胶

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影响光刻过程的主要因素有。

A. 掩膜版
B. 光刻胶
C. 光刻机
D. 洁净环境

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光刻胶按其用途可分为。

A. 可见光刻胶
B. 电子束光刻胶
C. X射线光刻胶

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前烘（软烘）指在一定温度下，使胶膜里的溶剂缓慢、充分地逸出，使胶膜干燥，前烘的主要作用有。

A. 缓和涂胶过程中的胶膜内产生的应力，增加光刻胶与衬底间的黏附性
B. 增强胶膜的光吸收和抗腐蚀能力
C. 蒸发去除所有溶剂
D. 胶层减薄

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曝光指使光源经过掩膜版照射衬底，使接收到光照的光刻胶光学特性发生变化，即把掩模版上的图形成像到硅衬底上。曝光工艺注意要点有。

A. 选择紫外光，光刻胶材料与紫外光（特定波长）产生反应，紫外光波长较短，可获得光刻胶上较高的分辨率。
B. 光刻掩模版和衬底间精确对准
C. 短时间强曝光，曝光时间由光刻胶、胶膜厚度、光源强度以及光源与衬底间的距离决定
D. 长时间强曝光，曝光时间由光刻胶、胶膜厚度、光源强度以及光源与衬底间的距离决定

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