硅衬底表面晶向对氧化速度影响的规律有
A. 硅衬底表面晶向只抛物线速率系数有影响
B. 硅衬底表面晶向只对线性速率系数有影响
C. 硅衬底表面晶向对线性速率系数和抛物线速率系数都有影响
D. 表面原子密度越低,氧化速率越大,即<100>大于<111>
膜密度越高,腐蚀速率越低,普通热生长SiO2在缓冲HF溶液中的腐蚀速率约为
A. 1400Å/min
B. 800Å/min
C. 1000Å/min
D. 1200Å/min
热氧化硅的介电强度大约为
A. 10MV/cm
B. 12MV/cm
C. 14MV/cm
D. 16MV/cm
Si/SiO2中的电荷影响器件的性能和可靠性。会造成MOS器件抑制电压不稳定现象。
A. 可动离子电荷
B. 氧化层固定电荷
C. 氧化层陷阱电荷
D. 界面陷阱电荷