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氧化温度对氧化速率的影响规律有

A. 温度越高,线性氧化系数增大,抛物线氧化系数不变,氧化速率增大。
B. 温度越高,抛物线氧化系数增大,线性氧化系数不变,氧化速率增大。
C. 温度越高,线性氧化系数和抛物线氧化系数都增大,氧化速率增大。
D. 温度越高,线性氧化系数和抛物线氧化系数都减小,氧化速率增大。

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硅衬底表面晶向对氧化速度影响的规律有

A. 硅衬底表面晶向只抛物线速率系数有影响
B. 硅衬底表面晶向只对线性速率系数有影响
C. 硅衬底表面晶向对线性速率系数和抛物线速率系数都有影响
D. 表面原子密度越低,氧化速率越大,即<100>大于<111>

膜密度越高,腐蚀速率越低,普通热生长SiO2在缓冲HF溶液中的腐蚀速率约为

A. 1400Å/min
B. 800Å/min
C. 1000Å/min
D. 1200Å/min

热氧化硅的介电强度大约为

A. 10MV/cm
B. 12MV/cm
C. 14MV/cm
D. 16MV/cm

Si/SiO2中的电荷影响器件的性能和可靠性。会造成MOS器件抑制电压不稳定现象。

A. 可动离子电荷
B. 氧化层固定电荷
C. 氧化层陷阱电荷
D. 界面陷阱电荷

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