膜密度越高，腐蚀速率越低，普通热生长SiO2在缓冲HF溶液中的腐蚀速率约为
A. 1400Å/min
B. 800Å/min
C. 1000Å/min
D. 1200Å/min
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热氧化硅的介电强度大约为
A. 10MV/cm
B. 12MV/cm
C. 14MV/cm
D. 16MV/cm
Si/SiO2中的电荷影响器件的性能和可靠性。会造成MOS器件抑制电压不稳定现象。
A. 可动离子电荷
B. 氧化层固定电荷
C. 氧化层陷阱电荷
D. 界面陷阱电荷
掺氯氧化可使氧化物缺陷密度显著减少，但温度低于1000℃时，氯的钝化效果差。 一般的栅氧化工艺采取两步氧化法：
A. 800℃~900℃，N2+HCl氧化；升温到1000~1100℃，O2+HCl退火。
B. 800℃~900℃，O2+HCl氧化；升温到1000~1100℃，N2+HCl退火。
C. 800℃~900℃，O2H+HCl氧化；升温到1000~1100℃，N2+HCl退火。
D. 800℃~900℃，N2+HCl氧化；升温到1000~1100℃，O2H+HCl退火。
通常氧化是指热氧化单项工艺，是在高温、氧或条件下，衬底硅被氧化生长出所需要厚度二氧化硅薄膜的工艺。热氧化需要消耗硅衬底，是一种本征氧化法。
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