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通常氧化是指热氧化单项工艺,是在高温、氧或条件下,衬底硅被氧化生长出所需要厚度二氧化硅薄膜的工艺。热氧化需要消耗硅衬底,是一种本征氧化法。

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二氧化硅中存在两种氧原子,其中指只连接一个硅氧4面体的氧,其原子越多,二氧化硅结构越疏松,强度越弱;指连接两个硅氧4面体的氧,其原子越多,二氧化硅结构越紧密,强度越大。

SiO2的热膨胀系数小,是Si的1/5,冷却时易产生微细的裂纹,丧失和作用。

掩蔽性质含义是相同情况下,B、P、As等常见杂质在SiO2中的扩散系数其在Si中的扩散系数,SiO2层对这些杂质起到掩蔽作用。

当需要极薄氧化膜时,例如MOSFET的栅氧化制备时,可采用技术。

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