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SiO2的热膨胀系数小,是Si的1/5,冷却时易产生微细的裂纹,丧失和作用。

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掩蔽性质含义是相同情况下,B、P、As等常见杂质在SiO2中的扩散系数其在Si中的扩散系数,SiO2层对这些杂质起到掩蔽作用。

当需要极薄氧化膜时,例如MOSFET的栅氧化制备时,可采用技术。

通过测量SiO2膜的折射率和观察SiO2膜腐蚀速率可以检验SiO2膜的

采用、氧化工艺制备的二氧化硅膜具有更高密度、更高折射率和更低的HF腐蚀速率。

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