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当需要极薄氧化膜时,例如MOSFET的栅氧化制备时,可采用技术。

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通过测量SiO2膜的折射率和观察SiO2膜腐蚀速率可以检验SiO2膜的

采用、氧化工艺制备的二氧化硅膜具有更高密度、更高折射率和更低的HF腐蚀速率。

二氧化硅膜中的斑点,裂纹,白雾,刮花和针孔等属于表面缺陷。二氧化硅膜还具有结构上的缺陷,即缺陷。

可以采用在电容器上不断增加电压,测量通过氧化层的电流,获得击穿电压的统计分布,来反映。

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