掺氯氧化可使氧化物缺陷密度显著减少,但温度低于1000℃时,氯的钝化效果差。 一般的栅氧化工艺采取两步氧化法:
A. 800℃~900℃,N2+HCl氧化;升温到1000~1100℃,O2+HCl退火。
B. 800℃~900℃,O2+HCl氧化;升温到1000~1100℃,N2+HCl退火。
C. 800℃~900℃,O2H+HCl氧化;升温到1000~1100℃,N2+HCl退火。
D. 800℃~900℃,N2+HCl氧化;升温到1000~1100℃,O2H+HCl退火。
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通常氧化是指热氧化单项工艺,是在高温、氧或条件下,衬底硅被氧化生长出所需要厚度二氧化硅薄膜的工艺。热氧化需要消耗硅衬底,是一种本征氧化法。
二氧化硅中存在两种氧原子,其中指只连接一个硅氧4面体的氧,其原子越多,二氧化硅结构越疏松,强度越弱;指连接两个硅氧4面体的氧,其原子越多,二氧化硅结构越紧密,强度越大。
SiO2的热膨胀系数小,是Si的1/5,冷却时易产生微细的裂纹,丧失和作用。
掩蔽性质含义是相同情况下,B、P、As等常见杂质在SiO2中的扩散系数其在Si中的扩散系数,SiO2层对这些杂质起到掩蔽作用。