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掩模版

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正胶和负胶

影响光刻过程的主要因素有。

A. 掩膜版
B. 光刻胶
C. 光刻机
D. 洁净环境

光刻胶按其用途可分为。

A. 可见光刻胶
B. 电子束光刻胶
C. X射线光刻胶

前烘（软烘）指在一定温度下，使胶膜里的溶剂缓慢、充分地逸出，使胶膜干燥，前烘的主要作用有。

A. 缓和涂胶过程中的胶膜内产生的应力，增加光刻胶与衬底间的黏附性
B. 增强胶膜的光吸收和抗腐蚀能力
C. 蒸发去除所有溶剂
D. 胶层减薄