结合经济增长和现实中的世界,下列说法中正确的是
A. 在自然资源充裕的前提下,鼓励人口增长是有意义的
B. 穷国能追上富国的根本原因在于技术持续地进步
C. 稳态时的人均消费取决于储蓄率的高低
D. 制度体系也能直接地促进经济增长
N沟道增强型MOSFET,工作在恒流区时,栅漏之间的电压差VGD( )。
A. 大于VT
B. 小于VT
C. 等于0
D. 不确定
对于耗尽型MOSFET,工作在恒流区时,VGS( )
A. 大于0
B. 小于0
C. 等于0
D. 任意
某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则该管是( )。
A. P沟道结型FET
B. 耗尽型PMOS
C. 耗尽型NMOS
D. N沟道结型FET