题目内容

哪种氧化方法获得氧化膜质量最差，但氧化速度较快

A. 干氧氧化
B. 水汽氧化
C. 湿氧氧化
D. 氢氧燃烧氧化

查看答案

搜索结果不匹配？点我反馈

更多问题

A. 氧化速率与氧化时间成线性比例
B. 氧化速率与氧化时间成抛物线比例
C. 氧化速率的大小等于气体扩散速率、固体扩散速率和化学反应速率三者速率之和
D. 氧化速率与氧化时间有时成线性比例，有时成抛物线比例

A. 温度越高，线性氧化系数增大，抛物线氧化系数不变，氧化速率增大。
B. 温度越高，抛物线氧化系数增大，线性氧化系数不变，氧化速率增大。
C. 温度越高，线性氧化系数和抛物线氧化系数都增大，氧化速率增大。
D. 温度越高，线性氧化系数和抛物线氧化系数都减小，氧化速率增大。

A. 硅衬底表面晶向只抛物线速率系数有影响
B. 硅衬底表面晶向只对线性速率系数有影响
C. 硅衬底表面晶向对线性速率系数和抛物线速率系数都有影响
D. 表面原子密度越低，氧化速率越大，即<100>大于<111>

A. 1400Å/min
B. 800Å/min
C. 1000Å/min
D. 1200Å/min